Descrizione
| Velocità memoria | 2666 MHz |
| Paese di origine | Taiwan |
| Fattore di forma memoria | 260-pin SO-DIMM |
| Prodotti compatibili | 20 series:RS820RP+, RS820+, DS920+, DS720+, DS420+, DS220+19 series:DS2419+, DS2419+II, DS1819+, DVA321918 series:DS1618+ |
| Codice del Sistema Armonizzato (SA) | 84733020 |
| Layout di memoria (moduli x dimensione) | 1 x 4 GB |
| Voltaggio della memoria | 1.2 V |
| Data Integrity Check (verifica integrità dati) | No |
| RAM installata | 4 GB |
| Tipo di memoria tampone | Unregistered (unbuffered) |
| Tipo di RAM | DDR4 |
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![Synology D4NESO-2666-4G memoria 4 GB 1 x 4 GB DDR4 260-pin SO-DIMM (Synology 4GB DDR4-2666 non-ECC unbuffered SO-DIMM 260pin 1.2V for DVA3219 [1Year warranty])SynologyD4NESO-2666-4G](http://pixprime.net/cdn/shop/files/73373162_d847cc53-0efe-4a84-a975-2d98eca5ce91.jpg?v=1780794663&width=600)